替代NOR flash！Intel准备相变内存

收到相关消息称：Intel正打算在07年上半年出样90-nm 128-Mbit相变内存，量产预计将在07年底，据称这种内存100,000,000周期的耐久性，同时它的存储数据保留时间在10年以上，它和一个叫Nirvana的技术很像，并将开始替代一些系统的内存，同时还将会替代目前的NOR flash存储技术，而且在温度方面也表现非常好。