三星采50奈米制程所生产16Gb容量NAND型Flash芯片近日即将量产出货，而东芝原规划采52奈米制程应战，然因为制程技术及良率问题无法克服，日前已转换到56奈米制程，近期亦将量产出货，更令业界关注的是，英特尔50奈米制程亦正急起直追，尽管推出时程落在第三季，仍落后三星及东芝，但英特尔近来明显加快脚步，让三星及东芝相当紧张，整个NAND型Flash产业正进入下一轮竞赛。
存储器厂指出，英特尔进军NAND型Flash还不到2年时间，然蓝图规划可说是滴水不漏，不仅拉拢美光（Micron）合资成立IM Flash，并宣布统一NAND型Flash界面，正式成立ONFI（Open NAND Flash Interface）联盟，结合海力士（Hynix）、Sony、意法半导体（STMicroelectronics）等重量级业者，足见英特尔对NAND型Flash布局缜密，尤其英特尔从统一NAND型Flash界面着手，直捣产业最核心处，目前全球除前2大厂三星和东芝外，几乎全已纳入ONFI阵营，英特尔这招结合次要敌人策略，让三星和东芝不得不提高警觉。
值得注意的是，随著NAND型Flash产业逐步走向成熟化，产业洗牌战已悄悄展开，在瑞萨（Renesas）和奇梦达（Qimonda）先后宣布退出NAND型Flash产业后，近期产业界最热门话题，便是三星和东芝面对英特尔即将产生的冲击，积极探听敌情动态，凸显英特尔以科技巨人之姿跨足存储器产业，恐将带来巨变。
存储器业者表示，NAND型Flash之战比的是制程技术、产品应用和专利（IP），三星和东芝各拥利器，但最重要关键仍是谁的口袋够深，亦即谁的资金实力够雄厚，因为在NAND型Flash产业迈入普及化过程中，必须持续忍受价格剧烈波动，要投入大笔资金来建厂投资，绝对需要前瞻和勇气，这场NAND型Flash大战谁会是最后赢家，业界看法仍纷歧，尽管三星仍处于领先地位，然英特尔口袋够深，且彷佛是蛰伏的狮子，静待成熟时机随时发动攻势，这已让整个产业警戒度直在线升。
事实上，过去DRAM市场最风光时代曾经百家争鸣，光是日本市场主要玩家就包括东芝、日立、恩益禧（NEC）、富士通、三菱等，各家大厂都曾雄霸一方，然经历DRAM价格大崩盘洗礼，在赤字亏损加剧情况下，陆续淡出标准型DRAM领域或重新整并，市场版图亦出现巨变，而这次NAND型Flash市场主要玩家，不少厂商是由DRAM领域科班出身，早已经历过大风浪，目前台面上竞逐NAND型Flash厂商可算是重量级战将，如今加上英特尔加入战局，未来NAND型Flash产业厮杀战将会更剧烈。
