就半导体工艺而言，纳米工艺是微米技术的延伸，在纳米工艺下的课题，首先必须面对的就是更细微化的曝光技术，目前半导体组件的工艺中，在曝光工艺部分的光源大多是采用193纳米(nm)的ArF雷射光源，不过对于纳米工艺来说，波长为193纳米的ArF雷射光源并无法完全满足所有的需要。
图：除非在未来的几年之内，超紫外线技术可以有所突破，否则对于纳米工艺来说，业界还是期待着纳米压印微影技术的成熟化。
就现今来看，最积极被讨论的便是波长是13.4 纳米的超紫外线(EUV)微影技术，一般认为，超紫外线光源是未来生产效能与逻辑闸密度更高芯片所不可或缺的技术与工具，所以对于超紫外线的相关技术，全球半导体晶圆业者都相当关心，目前利用超紫外线来进行曝光微影的工艺，仍有很多的课题需要克服。
就像AMD在稍早曾经表示，超紫外线光源的技术在22纳米的应用方面还是有些困难，因此实际应用的时间上，还会往后推迟。对于利用超紫外线光源微影的技术，不是只有AMD面临困难，包括IBM、特许半导体、飞思卡尔、英飞凌、三星等等都有相同的困扰，TSMC一语道破超紫外线光源的问题在于「光罩、功率来源和成本」所以这些公司都表示，直到22纳米的工艺，或许还是会继续使用193nm浸润式微影技术。甚至于VLSI Rearch的执行长G.Dan Hutcheson曾语出惊人的说，「如果无法找到新一代微影解决方案的话，或许摩尔定律将会被打破。」
所以，除非在未来的几年之内，超紫外线技术可以有所突破，否则对于纳米工艺来说，业界还是期待着纳米压印微影技术(Nano-imprint Lithography)的成熟化。对于纳米制成中微影的部分，目前已经有研究单位朝向不使用光学的方式将Geometry转印到晶圆上，而是将印有Geometry的模具利用硫醇分子转印至基板上，这样的方式被称为微接触印刷技术，另外还有利用刚性模具将Geometry压印在高分子的蚀刻阻剂层上，这样的技术就是所谓的纳米压印蚀刻技术。事实上，上述的两种技术都具备有快速、低成本的优点，并且经过不断的研发，目前已经可以实际应用在100纳米以下的工艺了，甚至利用纳米压印蚀刻技术的细微度更可以达到10纳米以下。因此，纳米压印技术已经被业界称为最有可能取代目前纳米微影工艺中，利用光源进行微影的技术之一。
