以细微工艺见长的纳米压印技术已趋近实用化

而在所有的纳米压印技术中，雷射纳米压印技术是最被期待地技术之一，雷射纳米压印的原理是将高能量短波长的准分子雷射，照射加装有Geometry刚性模罩的晶圆或基板表面，使得表面材料瞬间融解，而完成Geometry转印至晶圆或基板的表面，利用雷射的优点是可以省去其它纳米压印技术所需要的，蚀刻光阻涂布、加温、以及干式或湿式的蚀刻工艺。目前已经知道可以经由雷射辅助式纳米压印技术产生纳米结构之材料有Si、Cu、SiC，当然相关业者还在继续开发其它的适合的工艺材料。雷射辅助式纳米压印技术具有，不需要蚀刻阻碍层、不需要蚀刻工艺、可以直接加工于基材等等的特色。

雷射辅助式纳米压印技术是一个全新的课题，所以在技术上不纯熟的今天，雷射辅助式纳米压印技术当然还有许多的课题需要克服，在材料的部分包括了，脉冲雷射与材料的作用性、出现温度瞬间升高与融解时，以及局部压力下的材料变化、微流体的流动与热传导的现象、固化成型后材料特质变化等等。此外在参数的部分则有，压力大小、雷射波长、雷射能量、时间长度、能量密度、光的吸收系数、熔解的温度、热传导系数、纳米结构之几何因子等等。


图：利用纳米压印技术，基本上需要采用不同的模具和蚀刻阻碍层，模具的部分必须先用Focused Ion Beam、E-beam Lithography等等的方式，制作出纳米等级的Geometry与结构。