NAND型快闪记忆体(Flash)架构一直是全球DATA Flash市场主流，就连DATA Flash技术霸主东芝(Toshiba)亦仍旧采用NAND Flash架构，不过，日前东芝在日本所举行VLSI座谈会上提到，将转向采用3D架构技术以提高NAND Flash容量，而该技术与旺宏先前所公开展示BE-SONOS技术相当雷同，一旦业界开始采用3D架构，未来旺宏将有机会藉由BE-SONOS赚取大量权利金。至于何时会开始采用3D架构生产，东芝则未正面回应。
记忆体业界多已有体认，既有NAND Flash晶片技术到45奈米制程技术世代时，便会遭遇物理极限瓶颈，而当前旺宏所独有BE-SONOS，可能是业界最可行的新世代NAND Flash晶片技术。由于旺宏拥有此技术及专利，因此，未来除与旺宏有机会成为合作伙伴的奇梦达(Qimonda)外，任何厂商欲采用此技术生产DATA Flash晶片，均需经过旺宏授权，并给予实际销售额约3％权利金才行。
记忆体业者表示，BE-SONOS系以3D架构为基础，单一晶片容量理论值可达100GB，是NAND Flash晶片取代传统硬碟最佳方案，未来若被广泛采用，光是相关权利金，就可让旺宏“躺著赚也赚不完”，若加计其它储存产品获消费性电子产品应用，商机将无远弗界，而这亦是东芝到此时不得不开始加紧脚步、快速切入SONOS研发领域的原因。
不过，东芝还未对外证实何时会开始采用SONOS技术量产DATA Flash产品，也没有提到会做到怎样的容量及可能面临的挑战，一切都还仅限于技术研发阶段，离真正量产时间点还有一段距离。
