DRAM现货市场在端午节连假过后出现戏剧性大涨走势，2个交易日累计价格涨幅逾22%，下游模组厂表示，继茂德因制程转换导致产出不顺，力晶亦传出70纳米制程转换不顺，导致有效测试(eTT)颗粒供货锐减，并造成DDRII价格瞬间大涨，然因大多数模组厂都未在端午节前回补库存，在假期过后眼看价格不断攀高，只能当场傻眼。而在台厂制程不顺及DRAM现货价水涨船高激励下，21日带动三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等国际DRAM大厂股价响起一片涨声。
模组厂表示，台DRAM厂在转换制程至70奈米时，陆续出现生产不顺问题，继日前茂德因转进70奈米制程速度过快，导致产出不顺，力晶亦传出因70奈米制程转换过程有问题，导致eTT颗粒供货锐减，是近2日价格大涨的元凶。惟对此力晶发言人谭仲民表示，力晶70奈米制程相当顺利，没有市场传出的这个问题。
部分业者则指出，尽管力晶在70奈米制程转换所产生问题，其实影响数目只有几百片，该数量不但对力晶而言微不足道，亦不足以左右现货市场供需，真正影响市场供货量的主因系母公司尔必达(Elpida)近期临时增加向力晶拿货数量，使得力晶能够转售到现货市场DRAM货源减少。
无论真正原因为何，近期DRAM厂惜售态度明显，尤其现正值自结半年报时间点，多数DRAM厂为弥补4、5月DRAM价格不佳、第2季财报恐不好看，加上看准第3季PC产业传统旺季即将来临，对于价格可说是铁了心要涨价，在供给端主导下，使得近2日eTT颗粒出现大涨。
不过，由于这波DRAM价格反弹过于快速，加上突然出现在端午节连假过后，让许多模组厂感到措手不及，原预计DRAM价格会延到6月底才触底反弹，如今却提前发动涨势，让不少模组厂与连假前的最低价位失之交臂，错失回补库存好时机，现在只能眼睁睁看著价格上扬。