英特尔(Intel)所主导ONFI(Open NAND Flash Interface)联盟，迟迟等不到NAND Flash市场老大三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)点头加入，如今希望更渺茫，东芝内部正开发LBA(Logical Block Addressing)介面规格，有机会比ONFI联盟更早一步问世，业界甚至传出三星与东芝携手支持LBA规格机率相当高，届时全球NAND Flash产业将形成英特尔ONFI阵营力抗三星及东芝LBA阵营的局面！
东芝一直是NAND Flash技术领先者，这次提出LBA规格，已传出三星将与其签署合约，共同量产此规格产品。记忆体业者表示，若是三星确定支持东芝，NAND Flash产业将形成英特尔所主导ONFI阵营，全力对抗三星与东芝LBA阵营局势，且以目前态势来看，NAND Flash产业走到50奈米制程以下及内嵌式市场，介面规格愈益重要，而以龙头厂自居的三星，为英特尔抬轿机率相当小，选择与东芝携手机率则很高。惟三星对此表示，针对各种NAND Flash介面规格，目前内部仍在密切观察中。
值得注意的是，由于东芝在NAND Flash技术能力领先，LBA规格几乎是独自开发出来，不像ONFI联盟般四处招兵买马，因此，LBA详细的规格设计内容，在记忆体控制IC业界已成为人人都想取得的“武林秘笈”，各家控制IC业者都想提前拿到规格，以期在第一时间推出可支援产品。
此外，东芝内部所开发LBA介面NAND Flash技术，系让系统直接下逻辑地址，每1个储存单位分配1个独特地址编码，因此，未来若NAND Flash制程和容量提升，只需将编号向后延续，且此规格对于错误矫正(Error Correcting Code；ECC)和读写功能处理效率较高，当NAND Flash制程技术走向50奈米以下时帮助相当大。
事实上，最后不论是ONFI或LBA规格胜出，其目的都是在减少控制IC在处理NAND Flash复杂度，在50奈米制程世代，错误矫正需要到8bit能力，控制IC功能已处理得相当辛苦，未来进入45奈米制程后，问题将更严重，恐影响NAND Flash导入终端产品速度，这亦是各家大厂都亟欲开发介面规格的原因之一。
内存业者指出，其实ONFI和LBA规格相当类似，概念是一样的，只是在处理方式相异，ONFI系英特尔于2006年中正式对外宣布，而东芝内部开发LBA规格亦已有一段时间，且东芝动作比较快，现在规格都大致确定，2007年下半可正式量产，至于ONFI介面虽已发展至ONFI 2.0版本，但最后规格还未确定。
