但是,据nikkei.net网站报道,东芝有一项内部设计能够把NAND闪存的写入覆盖次数提高100倍。
东芝采用的这种设计是把数据写入DRAM内存,而不是直接写入到NAND闪存,特别是对于目前经常写入到硬盘的那些数据。
DRAM内存中存储的数据在关机前将被传送到NAND闪存。
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