| 虽然内存作为计算机中三大主要部件之一，从高价小容量到今天的1GB即将破百，内存的市场关注度相对于CPU、主板等方面已经显得非常薄弱。就拿最近两周来说，受上游芯片厂商产量的不合理增长，远远超出今年DRAM消费的增长，致使低中高三类系列内存全部遭受价格危机。例如很多玩家推崇的MOD游戏利器金邦黑龙2GB DDR2-800 内存在破300之后，下滑势头不减，290元的报价要比6月份足足便宜了30元；而拥有智能内存条的威刚红色威龙2GB DDR2-800+极速版同样遭受降价，高端内存走入普通家庭已经不再是遥遥无期的梦想。 |
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Elpida Memory日前宣布已经成功开发了频率为1066MHz的2Gbit DDR2 内存芯片。Elpida将于10月份开始生产这款内存芯片的样品，预计在今年年内就可以量产。
新的1066MHz DDR2 SDRAM内存芯片除了频率提升以外，还降低了芯片的功率，根据Elpida介绍，新的内存芯片比该公司以前的产品减少了20％。
Elpida Memory将率先使用这种内存芯片为服务器平台提供8GB的Registere |
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| 随着英特尔推出新一代的Bearlake系列芯片组，曾经辉煌一时的965/975系列芯片组行将退出历史舞台，PC硬件市场再次迎来新的更新换代期。本月14日， DIY市场业界的二家龙头——华硕与威刚科技在台湾共同发布新品，推出基于DDR3内存构架的P35、X38主板及A-DATA DDR3系列玩家超频内存，共同推广高效能游戏玩家市场。威刚科技产品市场企划处长陆建宏表示:“此次与华硕共同发布新世代产品，除了展现威刚与板卡厂间的多样技术策略联盟外，同时也正式推出针对 |
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Samsung 近日展示了一款其未来主打的内存产品“DDR3 2GB”内存。目前市场上1GB DDR3的内存仍然相当昂贵，因此2GB DDR3的价格可想而知了。Samsung的这款 2GB DDR3内存采用了单面设计，其频率为 1333MHz。
据介绍，这款内存拥有较强的超频潜力。根据我们预计，这款内存真正上市的日期可能要到2008年下半年。
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Corsair近日展示了频率达到惊人的1940MHz的DDR3内存。
在展示中，Corsair使用了基于X38芯片组的 P5E3 Deluxe 主板，在电源方面使用了500W的MX620 PSU 电源、QX6850 处理器（ 运行在7x485MHz模式）和两块2900XT显卡。在这个平台中，Corsair使用的 Twin 2048 1800C7DF内存频率可以达到1940MHz，而延迟参数则设置为 7-7-7-20 。
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在内存向着更高频率冲刺的时候，很多厂商都号称已经推出了DDR3 1600MHz甚至更高频率内存模组。但更多的是只见打雷不见下雨，国内可见的实物却少之又少，仿佛DDR3还是发烧友心中那遥不可及的梦……
面对高端玩家对顶级DDR3内存模组需求的呼声不断增加，作为全球知名的内存模组供应商的宇瞻科技抢在其它模组厂商之前率先推出了业界频率最快的DDR3模组之一：DDR3 1600内存实物！再一次以惊人的研发实力和创新能力向世人展示了其在内存模组方面的 |
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三星近日在韩国正式宣布，三星已经成功开发出世界上首款采用60nm制程的 2GB DDR2内存芯片，这种新的60nm内存芯片计划在今年年底进入量产，它的上市将为注重能效比的环保人士提供了一个新的选择。
据三星介绍，这种新的60nm 2GB内存芯片比以前的1GB内存芯片节能30%，未来三星将会率先推出三款采用这种内存芯片的内存产品，分别是8GB FB-DIMM服务器、工作站专用内存、 4GB DIMM桌 |
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G.Skill 日前发布了一款 DDR3-1600内存，这款内存以2GB (2x1024MB)双通道包装模式销售。
新内存的频率为 1600MHz，延迟设置为 7-7-7-18 ，两条内存在主板上用双通道模式进行工作。 G.Skill CEO Johnson Huang表示，现在使用DDR、DDR2内存的用户如果转用DDR3内存的话，他们将会惊讶的体验到DDR3所带来的更为强大的性能表现。目前，G. |
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| 2007年8月25日，以“高性价比、优质服务”为 |
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Corsair日前推出了频率为1800MHz的DDR3内存“TWIN3X2048-1800C7DF G”。这款内存属于“DOMINATOR”系列，配备了Corsair专用的散热片。
TWIN3X2048-1800C7DF G由两条1GB 1800MHz DDR3内存组成，内存的延迟参数为7-7-7-20(工作电压2.0v)，这款内存已经在华硕P35主板“P5k3”中完成了相关测试。
据了解，这款内存产品目前售价折合人民币在65 |
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| 英特尔(Intel)所主导ONFI(Open NAND Flash Interface)联盟，迟迟等不到NAND Flash市场老大三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)点头加入，如今希望更渺茫，东芝内部正开发LBA(Logical Block Addressing)介面规格，有机会比ONFI联盟更早一步问世，业界甚至传出三星与东芝携手支持LBA规格机率相当高，届时全球NAND Flash产业将形成英特尔ONFI阵营力抗三星及东芝LBA阵营的局面！ |
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| 传闻:8000万走私内存被查 近期恐大涨价 |
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| 英特尔公司推出了128Mb的相变存储器样片，并计划于今年下半年采用90nm技术进行量产。该器件代号为Alverstone，是英特尔的首款相变存储器，并被视为NOR闪存的替代品。英特尔是全球第二大NOR闪存供应商,仅次于Spansion公司。 |
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DRAM现货市场在端午节连假过后出现戏剧性大涨走势，2个交易日累计价格涨幅逾22%，下游模组厂表示，继茂德因制程转换导致产出不顺，力晶亦传出70奈米制程转换不顺，导致有效测试(eTT)颗粒供货锐减，并造成DDRII价格瞬间大涨，然因大多数模组厂都未在端午节前回补库存，在假期过后眼看价格不断攀高，只能当场傻眼。而在台厂制程不顺及DRAM现货价水涨船高激励下，21日带动三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等国际DRAM大厂股价响起一片涨声。 |
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| DRAM现货市场在端午节连假过后出现戏剧性大涨走势，2个交易日累计价格涨幅逾22%，下游模组厂表示，继茂德因制程转换导致产出不顺，力晶亦传出70纳米制程转换不顺，导致有效测试(eTT)颗粒供货锐减，并造成DDRII价格瞬间大涨，然因大多数模组厂都未在端午节前回补库存，在假期过后眼看价格不断攀高，只能当场傻眼。而在台厂制程不顺及DRAM现货价水涨船高激励下，21日带动三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等国际DRAM大厂股价响起一片涨声。
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