内存又创新低 盒装双核4800+欲破千
今天北京英特尔处理器现货市场上，价格总体呈现出下降态势，涉及产品数量较多。其中775接口赛扬D和478接口奔腾4小幅下降；775接口双核酷睿2除E6600有上涨以外其他均有下降，幅度为20元上下；775接口双核奔腾D价格稳定，最高下调幅度10元。反观AMD处理器，绝大部分产品价格保持平稳，其中AM2接口闪龙处理器均呈现小幅度下跌；AM2接口双核速龙X2 4200+/4600+缺货小 |
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| 【泡泡网内存频道4月26讯】内存方面：今天部分品牌旗下主流产品还在降价，目前1GB DDR2-667普遍降到315元左右，而512MB内存还在170元附近徘徊。虽然经销商透露：“市面上512MB销量比较不错，但相对来说已经没有1GB内存性价比高了，加上2GB内存逐渐上市，大容量内存是未来的趋势，因此512MB内存会逐渐退出市场。”因此，现在1GB容量的价格比2×512MB还要便宜，价 |
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昨天我们还在抱怨Intel调价后市场没什么动静，随着深圳周一开始正常上班，今天市场处理器开始出现大幅调整，另外内存今天也开始大幅降价，幅度比较大，也创造了内存历史的最低点。
今天Intel方面处理器价格开始出现变化，幅度较大，但是还是集中在低端方面，入门级的酷睿双核E6300和E4300有10－80元的调整，单核方面Pentium4 631跌破500元，如果是游戏玩家不妨考虑下这款处理器。
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作为电脑中必不可少的三大件之一（其余的两个是主板与CPU），内存是决定系统性能的关键设备之一，它就像一个临时的仓库，负责数据的中转、暂存……
不过，虽然内存对系统性能的至关重要，但长期以来，DIYer并不重视内存，只是将它看作是一种买主板和CPU时顺带买的“附件”，那时最多也就注意一 |
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| 目前DDR II 667 和 DDR II 800 的价格相差一百多元，如何花更少的银子 使自己的内存HIGH一下，是很多DIYer考虑的问题，接下来，将介绍提升内存效能的几个方法 |
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| 4.9-4.11上海硬件报价－内存系列 |
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| 全球4月512MB的DDRII模块报价低价部份已逼近20美元关卡，DRAM厂表示，到了20美元的价位时应有机会获得强力支撑，原因在于这样价位对于OEM计算机大厂而言，应相当具有吸引力，OEM计算机大厂应会在淡季进场开始为下半年旺季提前准备库存。 |
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| 一名新加坡玩家使用了华硕M2-CORSSHAIR（准星）主板与金邦GEIL-DDR2 800 Plus内存，打破了由新加坡玩家Shamino之前所保持的低延迟DDR2内存超频记录（点击查看），并且是在1T Command Rate、2GB总容量及双通道的严苛状态下完成的，关键 |
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著名硬件厂商OCZ Technology近日推出一款超强“DDR2 PC2-9200 Reaper HPC Edition”内存，这款内存将以1GB×2的包装进行销售。
与在今年2月发表的PC2-8500 Reaper HPC Edition相比，新款内存的时钟频率由1066MHz提高到了1150MHz。工作电压是则由2.3v提升至2.35v，“DDR2 PC2-9200 Reaper HPC Edition”的延迟设置为5-5-5-18。 |
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各位硬件发烧友们要注意了，日前 Nvidia 与 eVGA联合发出声明玩家在采用 Nvidia 680i SLI芯片组的主板上要慎用高速DDR2内存， 由于设计上的原因，工作电压较高的1.2GHz内存在使用时会对主板及内存本身产生致使伤害。
NVIDIA已经接到多起关于基于 NVIDIA nForce 680i SLI平台因为这方面的原因而出现损害的报告，这是因为支持1.2GHz内存所需要的2.4V |
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| 华邦电子(Windbond)以自行研发WinStack |
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尽管高频率不是DDR2的长项，尽管DDR3风雨欲来，内存厂商还是在疯狂地提高DDR2的频率，试图在挑战极限。OCZ就在CeBIT 2007上拿出了迄今为止最快的DDR2内存，频率高达1400MHz，相当于PC2-11200规格。
为了达到这一高度，OCZ在期旗舰产品FlexXLC中精心挑选出了高质量的模组，内存时序设置为5-5-6，内存也加到了2.35V，同时采用风冷加水冷结合的散热方式；不过OCZ代表表示，水冷散热并不是必需的，即使频率超过1400MHz风冷也能对付。 |
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海盗船在CeBIT 2007上展示了其首批DDR3产品，并透露将在未来几个月内展示自己的1600MHz DDR3型号。
首先亮相的为P35平台上的DDR3/1066芯片组，CAS=6，比标准CAS=7规格DDR3性能更高。
此次展示的海盗船DDR3已经有800/1066MHz两个版本，1333MHz则依旧处于测试状态，根据海盗船预测，几个月内便能推出频率高达1600MHz的DDR3产品。
目前海盗船尚未公布DDR3型号的具体售价。
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Hynix Semiconductor宣布已经研发出一款512Mbit移动DDR SDRAM，时钟频率185MHz，并支持ECC（错误纠正代码）功能。这款SDRAM设计用于移动设备，采用80nm工艺生产。
Hynix表示，这款SDRAM的量产预计在2007年下半年开始，而样品将在今年Q3早期推出。
Hynix声称这款SDRAM的数据吞吐量达到1.5Gb/s，并支持32位I/O。ECC功能允许延长刷新间隔，从而降低功耗近50%。
512Mb ECC |
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去年年底，日本尔必达(Elpida)率先实现了70nm工艺内存的量产；三个半月过去后，台湾茂德(ProMOS)也终于迈出了这一步。
在经过一段时间的试验性生产后，茂德已经开始了70nm工艺内存的大规模生产，首批产品良率平均71.6％，最高89％。茂德计划在两周内通过内存模组厂商和OEM厂商的认证。
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